FDN327N Транзистор с полеви ефекти (MOSFET) N-канален 20V 2A

FDN327N Транзистор с полеви ефекти (MOSFET) N-канален 20V 2A

Модел: FDN327N
Марка: ON Semiconductor
Наличност: 914 бр
MOQ: 2 бр
Срок на доставка: 3 дни
Изпрати запитване
Чат сега
Описание

FDN327N Транзистор с полеви ефекти (MOSFET) N-канален 20V 2A

Номер на моделаFDN327N
Тип FETN-канал
Източване към източник20V
Текущ -2A (Ta)
Задвижващо напрежение1.8V, 4.5V
Vgs(th) (макс.)1.5V @ 250µA
Gate Charge6.3nC при 4.5V
Входен капацитет423pF при 10V
Vgs (макс.)±8V
Разсейване на мощността500mW (Ta)
Rds включен (макс.)70 mOhm @ 2A, 4.5V
Устройство на доставчикаСуперСОТ-3
Опаковка / КалъфTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Други имена

FDN327N-ND


FDN327N Транзистор с полеви ефекти (MOSFET) N-канален 20V 2A

Популярни тагове: fdn327n полеви транзистор (mosfet) n-канален 20v 2a, Китай, доставчици, търговия на едро, купуване, евтино, отстъпка, ниска цена, на склад

Изпрати запитване