Нов оригинален FDMS{0}}P пакет QFN-8 транзистор с полеви ефекти (MOSFET)

Нов оригинален FDMS{0}}P пакет QFN-8 транзистор с полеви ефекти (MOSFET)

Модел: FDMS86163P
Марка: ON Semiconductor
Наличност: 734бр
MOQ: 2 бр
Срок на доставка: 3 дни
Изпрати запитване
Чат сега
Описание

Нов оригинален FDMS{0}}P пакет QFN-8 полеви транзистор (MOSFET)

Номер на моделаFDMS86163P
технологияMOSFET (метален оксид)
Тип FETP-канал
Източване към източник100V
Текущ7.9A (Ta), 50A (Tc)
Задвижващо напрежение6V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Заряд на вратата (Qg)59nC при 10V
Входен капацитет4085pF при 50V
Vgs (макс.)±25V
Разсейване на мощността2,5 W (Ta), 104 W (Tc)
Rds On (Max) @ Id22 mOhm @ 7.9A, 10V
Опаковка / Калъф8-PowerTDFN
Устройство на доставчика8-PQFN (5x6)
Други имена

FDMS86163PTR


Нов оригинален FDMS{0}}P пакет QFN-8 полеви транзистор (MOSFET)

Популярни тагове: нов оригинален fdms86163p пакет qfn-8 полеви транзистор (mosfet), Китай, доставчици, търговия на едро, купуване, евтино, отстъпка, ниска цена, на склад

Изпрати запитване